发明名称 覆晶式之发光二极体
摘要 一种覆晶式之发光二极体,包括一透明基板,其上至少设置有一第一电性半导体层、一发光层、一第二电性半导体层、至少一第一欧姆导电部、一第二欧姆导电部及第三欧姆导电部,其中该至少一第一欧姆导电部系透过一连接通道而与第三欧姆导电部得以电性连接,且于第二电性半导体层上方以形成一第一电极区,而该第二欧姆导电部则设于相邻于该等第一欧姆导电部之一侧之透明基板上方,其上方形成一第二电极区。
申请公布号 TWI467807 申请公布日期 2015.01.01
申请号 TW100139327 申请日期 2011.10.28
申请人 荣昱顾问有限公司 台南市南区公英五街23号 发明人 杜全成
分类号 H01L33/36 主分类号 H01L33/36
代理机构 代理人 潘海涛 台北市松山区复兴北路69号3楼;袁铁生 台北市松山区复兴北路69号3楼
主权项 一种覆晶式之发光二极体,包括:一透明基板;一第一电性半导体层,形成于该透明基板上;一发光层,形成于该第一电性半导体层上;一第二电性半导体层,形成于该发光层上;至少一第一欧姆导电部,形成于该第二电性半导体层上,而该第二电性半导体层下另设有至少一第三欧姆导电部,该第三欧姆导电部系被一绝缘层所覆盖,以与该第一电性半导体层隔离,且该第一欧姆导电部与第三欧姆导电部之间系设有至少一连接通道,使该第一欧姆导电部与第三欧姆导电部得以电性连接,且该第一欧姆导电部上方形成一第一电极区;以及一第二欧姆导电部,形成于透明基板上,并相邻于该第一欧姆导电部,且该第二欧姆导电部上方形成一第二电极区。
地址 台南市南区公英五街23号