发明名称 磁记录介质的制造方法及磁记录介质
摘要 本发明的目的在于提供错误产生率低的磁记录介质的制造方法及磁记录介质。一种磁记录介质的制造方法,其为包含玻璃基板的磁记录介质的制造方法,其中,包括在所述玻璃基板中产生屈曲变形和弯曲变形中的至少任意一种变形,所述玻璃基板的玻璃含有5摩尔%以上的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>,B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的含量为0.1摩尔%以上且15摩尔%以下;或者所含有的碱金属氧化物为一种以下,碱金属氧化物的含量为0摩尔%以上且25摩尔%以下;或者含有两种以上的碱金属氧化物,碱金属氧化物的含量大于0摩尔%且为20摩尔%以下。
申请公布号 CN104230164A 申请公布日期 2014.12.24
申请号 CN201410282969.2 申请日期 2014.06.23
申请人 旭硝子株式会社 发明人 中岛哲也;西泽学;秋山顺
分类号 C03C3/087(2006.01)I;C03C3/083(2006.01)I;C03C3/091(2006.01)I;C03C17/00(2006.01)I 主分类号 C03C3/087(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 于洁;王海川
主权项 一种磁记录介质的制造方法,其为包含玻璃基板的磁记录介质的制造方法,其中,包括在所述玻璃基板中产生压曲变形和弯曲变形中的至少任意一种变形,所述玻璃基板的玻璃含有5摩尔%以上的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>,B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的含量为0.1摩尔%以上且15摩尔%以下;或者所含有的碱金属氧化物为一种以下,碱金属氧化物的含量为0摩尔%以上且25摩尔%以下;或者含有两种以上的碱金属氧化物,碱金属氧化物的含量大于0摩尔%且为20摩尔%以下。
地址 日本东京