微透镜之形成方法及半导体装置

摘要

本发明的微透镜之形成方法系控制透镜的形状，以形成表面积很大但相邻之微透镜彼此间的间隔很窄之微透镜。;针对从下面起依序具备有由SiN膜所形成之透镜材料层31、及由有机膜所形成之中间层32、及由抗蚀膜所形成之遮罩层33之晶圆W，先使用含有CF4气体和C4F8气体之第1处理气体，进行蚀刻处理，将遮罩层33的透镜形状复制到前述中间层32，形成透镜形状大于遮罩层33之中间层32。接着，使用含有SF6气体和CHF3气体之第2处理气体，进行蚀刻处理，将中间层32的透镜形状复制到前述透镜材料层31，形成间隔D1小于初期间隔d1之微透镜3。

主权项

一种微透镜之形成方法，其特征为，包括有以下的步骤：在基板上，形成由无机材料所形成之透镜材料层的步骤；及接着，在该透镜材料层上，形成由有机材料所形成之中间层的步骤；及接着，在该中间层上，形成由有机材料所形成之遮罩层的步骤；及接着，在前述遮罩层形成透镜形状的步骤；及接着，使用含CF4气体与C4F8气体的处理气体，对前述遮罩层和中间层，进行蚀刻处理，将遮罩层的透镜形状复制到前述中间层的步骤；及接着，使用含有SF6气体和CHF3气体之处理气体，对前述中间层和透镜材料层，进行蚀刻处理，将中间层的透镜形状复制到前述透镜材料层，形成透镜的步骤，且前述透镜材料层系氮化矽膜，前述中间层与透镜材料层进行蚀刻的步骤，系使前述透镜材料层之蚀刻速度，除以中间层的蚀刻速度所得到的蚀刻选择比成为1.0以上1.6以下的蚀刻条件下进行。