| 发明名称 |
用于高产量及稳定逐基材表现之快速周期和广泛的后期紫外臭氧清洗程序之添加 |
| 摘要 |
一种清洁一基材处理室的方法，包含在界定出一或多个处理区的处理室内处理一批次基材。可在一子常式中执行该批次基材的处理，其中该子常式具有多个子步骤，包含：在该处理室内处理来自该批次之一基材；从该处理室中移出该基材；通入臭氧至该处理室内；以及将该处理室暴露在紫外光下低于一分钟。可重复该等基材批次处理子步骤直到处理完该批次内的最后一个基材为止。在处理该批次内的最后一个基材之后，该方法包含：从该处理室中移出该最后一个基材；通入臭氧至该处理室内；以及将该处理室暴露在紫外光下三至十五分钟。 |
| 申请公布号 |
TWI465298 |
申请公布日期 |
2014.12.21 |
| 申请号 |
TW098121035 |
申请日期 |
2009.06.23 |
| 申请人 |
应用材料股份有限公司 美国 |
发明人 |
项映怡;陈劲文;诺瓦克汤玛士;狄摩斯亚历山卓Ｔ |
| 分类号 |
B08B7/00;C23C16/56 |
主分类号 |
B08B7/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
| 主权项 |
一种清洁一基材处理室的方法，该方法包含：(a)通入含有甲基二乙氧基矽烷(methyldiethoxysilane)及α松油烯(alpha-terpinine)的一前驱物气体至一第一处理室内；(b)在该第一处理室内沈积一介电材料在来自一批次基材的一基材上；(c)在一界定出一或多个处理区的一第二处理室内处理拥有该介电材料的来自该批次基材的该基材；(d)从该第二处理室移出该基材；(e)执行一快速腔室清洁，包含：加压该第二处理室至约5托耳；加热该第二处理室至约385℃；通入臭氧至该第二处理室内；将该第二处理室暴露在紫外光下低于一分钟；以及(f)重覆步骤(a)至(e)直到以步骤(d)之处理完成该批次内的最后一个基材为止；(g)在步骤(f)之后以及在该批次内的最后一个基材从该第二处理室移出之后，执行一批次腔室清洁，包含：加压该第二处理室至约5托耳；加热该第二处理室至约385℃；通入臭氧至该第二处理室内；以及将该第二处理室内的臭氧暴露在紫外光下三至十五分钟。 |
| 地址 |
美国 |
