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<p>휘도 및 ESD 보호 특성이 우수한 질화물 반도체 발광소자에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자는 제1 도전형 질화물 반도체층; 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 상에 형성되는 활성층; 상기 활성층 상에 형성되는 제2 도전형 질화물 반도체층; 및 상기 제1 도전형 질화물 반도체층 및 제2 도전형 질화물 반도체층 중에서 p형 질화물 반도체로 형성된 층과 상기 활성층 사이에 형성되는 전자 차단층;을 포함하고, 상기 전자 차단층은 AlInGaN을 포함하여 형성되되, 상기 활성층으로부터 멀어질수록 인듐(In) 농도가 증가하는 것을 특징으로 한다.</p> |
