| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR |
| 摘要 |
在对于在字元线(10b和10d)之间而被位元线(16)所包围之接触孔内埋入第2导电材料，并于第2方向上作分离之双插塞形成工程中，将被埋入至先前技术之假字元线中的导电材料除去并形成扩散层分离用沟(29)，并将扩散层分离绝缘膜(30)埋入而将扩散层分离，并且将接触插塞(25b和25c)作分离。 |
| 申请公布号 |
TW201448177 |
申请公布日期 |
2014.12.16 |
| 申请号 |
TW103104100 |
申请日期 |
2014.02.07 |
| 申请人 |
ＰＳ４卢克斯科公司 |
发明人 |
瀬川一宏 |
| 分类号 |
H01L27/115(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>林志刚</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
卢森堡 |
