| 摘要 |
1. Полупроводниковый лазер, содержащий гетероструктуру, выращенную на подложке GaAs, ограниченную перпендикулярными оси роста торцовыми поверхностями, с нанесенными на них покрытиями, с одной стороны - отражающим, а на другой - антиотражающим, и включающую волноводный слой с активной областью, сформированный p-i-n переход, контактный слой и ограничительные слои, показатели преломления последних меньше показателей преломления подложки и других слоев, контактный слой и смежный с ним ограничительный слой легированы акцепторами, а подложка и другой ограничительный слой легированы донорами, отличающийся тем, что в гетероструктуру включен буферный слой GaAs, легированный донорами и размещенный между подложкой и ограничительным слоем, а активная область волноводного слоя содержит, по крайней мере, три квантовые ямы InGaAs, выполненные в p-i-n переходе, сформированном волноводным, буферным и ограничительными слоями, кроме того, толщины волноводного слоя и смежного с буферным ограничительного слоя, выбраны таким образом, чтобы обеспечить потери на выход излучения в подложку в диапазоне 10-50 сми угол выхода излучения в подложку φ в диапазоне 0-3°.2. Полупроводниковый лазер по п.1, отличающийся тем, что степень легирования подложки донорами составляет менее 2×10см.3. Полупроводниковый лазер по п.1, отличающийся тем, что степень легирования буферного слоя соответствует степени легирования подложки.4. Полупроводниковый лазер по п.1, отличающийся тем, что степень легирования ограничительного слоя, смежного с буферным слоем, соответствует степени легирования этого буферного слоя.5. Полупроводниковый лазер по п.1, отличающийся тем, что с |
