一种氧化物薄膜、薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种氧化物薄膜、薄膜晶体管及其制备方法，涉及薄膜晶体管技术领域。在薄膜晶体管中，氧化物薄膜沟道层的氧化物薄膜的化学通式为In-X-Zn-O，X是Si、Ge、La或者Y元素；栅电极设置在基底上方；栅极绝缘层设置在栅电极以及基底未被栅电极所覆盖的部分的上方；氧化物薄膜沟道层设置在栅极绝缘层的上方；源极区设置在氧化物薄膜沟道层的上方的一侧；漏极区设置在氧化物薄膜沟道层的上方的另一侧。本发明基于In-X-Zn-O的薄膜晶体管，可以增强氧化物薄膜沟道层对于载流子形成的抑制能力，提高晶体的晶化温度以提高器件制备的一致性，减弱氧化物薄膜沟道层对薄膜晶体管阈值电压、漏电流I_off以及开关比的影响。

主权项

一种氧化物薄膜，其特征在于，所述氧化物薄膜的化学通式为In‑X‑Zn‑O，其中，X是Si、Ge、La或者Y元素；所述氧化物薄膜中还掺杂有金属元素钛、铝、锆、铪、镨、铈或者钕中的至少一种，并且所掺杂的金属元素的含量低于所述X的含量。