一种用于半导体器件的引线支架

摘要

本发明公开了一种用于半导体器件的引线支架，其包括的组分及各组分重量比为：Fe：2.0～2.6wt％、Ti：0.05～0.1wt％、B：0.01～0.03wt％、Na：0～0.05wt％、Mo：0.01～1.5wt％、其余为Cu和杂质。该引线支架的抗拉强度高、硬度高、电导率高、延伸率高，能较好地满足电子工业领域对引线框架材料性能的诸多要求。

主权项

一种用于半导体器件的引线支架，其特征在于，该引线支架的组分及其重量比为：Fe：2.0～2.6wt％、Ti：0.05～0.1wt％、B：0.01～0.03wt％、Na：0～0.05wt％、Mo：0.01～1.5wt％，其余为Cu和不可避免的杂质；其中，该引线支架的制造方法包括如下步骤：(1)首先将主料及辅料在1250～1350℃熔融后注入坯模，在液相线温度至380℃的温度范围内以80℃/min以上的冷却速度进行冷却，在制造过程中控制合金成分及含量Fe为2.0～2.6wt％、Ti为0.05～0.1wt％、B为0.01～0.03wt％、Na为0～0.05wt％、Mo为0.01～1.5wt％、其余组分为Cu和不可避免的杂质；(2)将得到的铸坯在1000℃以下的加热温度进行热轧压延，在制造过程中控制成分含量Fe为2.0～2.6wt％、Ti为0.05～0.1wt％、B为0.01～0.03wt％、Na为0～0.05wt％、Mo为0.01～1.5wt％、其余组分为Cu和不可避免的杂质；(3)将热轧带材反复进行冷轧压延和300℃～600℃双级连续退火，在制造过程中控制成分含量Fe为2.0～2.6wt％、Ti为0.05～0.1wt％、B为0.01～0.03wt％、Na为0～0.05wt％、Mo为0.01～1.5wt％、其余组分为Cu和不可避免的杂质；(4)进行冷轧压延加工使其厚度变化量达到40％以上，再进行420℃以下的低温退火，得到带材成品，在制造过程中控制成分含量Fe为2.0～2.6wt％、Ti为0.05～0.1wt％、B为0.01～0.03wt％、Na为0～0.05wt％、Mo为0.01～1.5wt％、其余组分为Cu和不可避免的杂质；(5)采用上述带材制成该用于半导体器件的引线支架。