一种硅通孔工艺中籽晶层的形成方法

摘要

本发明提供了一种硅通孔工艺中籽晶层的形成方法，包括：向硅通孔中进行第一次籽晶层淀积过程，在硅通孔中及其顶部外表面形成第一籽晶层；对第一籽晶层进行回流过程，形成具有光滑表面的第一籽晶层；向硅通孔中进行第二次籽晶层淀积过程，在第一籽晶层表面形成第二籽晶层。由于所制备的籽晶层具有光滑的表面，从而为后续的铜电镀提供了有利条件，有效避免了填充的铜内部产生空洞缺陷，提高了铜电镀工艺质量，并保证了硅通孔的可靠性。

主权项

一种硅通孔工艺中籽晶层的形成方法，采用一具有硅通孔的半导体衬底，其特征在于，还包括：步骤S01：向所述硅通孔中进行第一次籽晶层淀积过程，在所述硅通孔中及其顶部外表面形成第一籽晶层；步骤S02：对所述第一籽晶层进行回流过程，形成具有光滑表面的第一籽晶层；步骤S03：向所述硅通孔中进行第二次籽晶层淀积过程，在所述第一籽晶层表面形成第二籽晶层。