| 发明名称 | 生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括生长在Zr衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的InGaN/GaN多量子阱；所述GaN缓冲层为在500～700℃生长的GaN缓冲层；所述非掺杂GaN层为在600～800℃生长的非掺杂GaN层；所述InGaN/GaN多量子阱为在700～800℃生长的InGaN/GaN量子阱。本实用新型的InGaN/GaN多量子阱缺陷密度低、结晶质量好、光电性能好，生长工艺简单，制备成本低廉。 | ||
| 申请公布号 | CN203983322U | 申请公布日期 | 2014.12.03 |
| 申请号 | CN201420397434.5 | 申请日期 | 2014.07.17 |
| 申请人 | 华南理工大学 | 发明人 | 李国强;王文樑;杨为家;刘作莲;林云昊;周仕忠;钱慧荣 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人 | 陈文姬 |
| 主权项 | 生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱，其特征在于，包括生长在Zr衬底上的GaN缓冲层，生长在GaN缓冲层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的InGaN/GaN多量子阱；所述GaN缓冲层为在500～700℃生长的GaN缓冲层；所述非掺杂GaN层为在600～800℃生长的非掺杂GaN层；所述InGaN/GaN多量子阱为在700～800℃生长的InGaN/GaN量子阱。 | ||
| 地址 | 510640 广东省广州市天河区五山路381号 | ||