| 发明名称 | 半导体制程;SEMICONDUCTOR PROCESS | ||
| 摘要 | 一种半导体制程，包含有下述步骤。首先，形成二闸极于一基底上。接着，形成一凹槽于闸极侧边的基底中。然后，进行一表面改质制程于凹槽的一表面，以整修凹槽的形状并将表面改质。 | ||
| 申请公布号 | TW201445622 | 申请公布日期 | 2014.12.01 |
| 申请号 | TW102118630 | 申请日期 | 2013.05.27 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 张明华;吴俊元;简金城;余典衞;林钰书;赖思豪 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | <name>吴丰任</name><name>戴俊彦</name> | |
| 主权项 | |||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||