用于半导体元件制造上的阻剂硬化及显影制程;RESIST HARDENING AND DEVELOPMENT PROCESSES FOR SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING

摘要

本文提供一种在基板上形成蚀刻遮罩之方法，在一些实施例中，该方法包括：(1)在基板上形成阻剂层；(2)将阻剂层之一或更多个区域曝露于能源，以便改变所曝露区域之物理性质及化学性质中至少一者；(3)在阻剂层上执行硬化制程以增大阻剂层之第一区域相对于阻剂层之第二区域之抗蚀刻性，该硬化制程包括在原子层沉积(atomic layer deposition; ALD)腔室内将阻剂层曝露于一或更多种反应性物质；及(4)对阻剂层进行乾式蚀刻以移除一或更多个第二区域，及在阻剂层中形成图案。本文亦提供其他实施例。