发明名称 |
一种分体式VGF法单晶生长工艺用坩埚托 |
摘要 |
本实用新型提出一种分体式VGF法单晶生长工艺用坩埚托。氯化钇稳定氧化锆材质的坩埚托主体(1)被沿轴向加工成了均匀的三瓣,当三瓣儿组合成一个圆柱体时,每两瓣之间会有极微小的间隙,坩埚托主体(1)的下部加工有外锥面,通过外锥面安放在坩埚托主体座(2)的内锥面上,这种设计保证了坩埚的对中性,坩埚托主体座(2)的底部加工有外止口,其外止口插入石英管(4)的内孔中定位,石英管(4)的内部充满保温棉(5),石英管的外面套有氧化铝管(3),氧化铝管(3)的上端面辅助支撑坩埚托主体(1)的下端的环状凸台,多层保温结构设计,增加径向保温性,上述设计减小了坩埚托的热应力变形,提高了坩埚托的使用寿命,降低了生产成本。 |
申请公布号 |
CN203960388U |
申请公布日期 |
2014.11.26 |
申请号 |
CN201420351891.0 |
申请日期 |
2014.06.29 |
申请人 |
大庆佳昌晶能信息材料有限公司 |
发明人 |
徐兰兰;张学锋;王玉辰 |
分类号 |
C30B11/00(2006.01)I |
主分类号 |
C30B11/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种分体式VGF法单晶生长工艺用坩埚托,包括坩埚托主体(1),其特征在于:坩埚托主体(1)沿轴向上分成均匀的三瓣,三瓣儿组合成一个圆柱体,相邻两瓣之间有间隙,坩埚托主体(1)上部内壁的形状与坩埚的形状相吻合,坩埚托主体(1)的下部加工有外锥面,通过外锥面安放在坩埚托主体座(2)的内锥面上,坩埚托主体座(2)的底部加工有外止口,其外止口插入石英管(4)的内孔中定位,石英管(4)的内部充满保温棉(5),石英管(4)外套有氧化铝管(3),氧化铝管(3)的上端面与坩埚托主体(1)底端面的外沿相触。 |
地址 |
163000 黑龙江省大庆市高新区新发街1-2号301室 |