发明名称 |
一种免测量多晶硅铸锭用籽晶熔化高度的方法及多晶硅铸锭炉 |
摘要 |
本发明提供了一种免测量多晶硅铸锭用籽晶熔化高度的方法,包括以下步骤:(1)在坩埚底部设置一层籽晶;(2)在籽晶表面铺设一层碎硅料形成隔热层,隔热层的导热率低于籽晶的导热率;(3)在隔热层表面装入硅原料,控制热场和工艺,使硅原料从上往下熔化,并监测坩埚底部的温度信号;温度信号为坩埚底部温度、坩埚底部温度变化率,或者坩埚底部温度变化率的变化率;(4)根据获取到的温度信号,可以判断籽晶熔化的高度;当温度信号出现突然上升的突变点时,表示已熔化至籽晶的高度,此时控制热场和工艺,进入长晶阶段。该方法解决了用石英棒测量籽晶熔化高度时导致测试不准确的问题,并且无需用石英棒进行连续测量,操作简便,成本低。 |
申请公布号 |
CN104152993A |
申请公布日期 |
2014.11.19 |
申请号 |
CN201410384074.X |
申请日期 |
2014.08.06 |
申请人 |
江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
发明人 |
陈红荣;胡动力;何亮;鄢俊琦 |
分类号 |
C30B29/06(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/06(2006.01)I |
代理机构 |
广州三环专利代理有限公司 44202 |
代理人 |
郝传鑫;熊永强 |
主权项 |
一种免测量多晶硅铸锭用籽晶熔化高度的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)在坩埚底部设置一层籽晶;(2)在所述籽晶表面铺设一层碎硅料形成隔热层,所述隔热层的导热率低于所述籽晶的导热率;(3)在所述隔热层表面装入硅原料,控制热场和工艺,使所述硅原料从上往下熔化,并监测所述坩埚底部的温度信号;所述温度信号为所述坩埚底部温度、所述坩埚底部温度变化率,或者所述坩埚底部温度变化率的变化率;(4)根据获取到的所述温度信号,可以判断所述籽晶熔化的高度;当所述温度信号出现突然上升的突变点时,表示已熔化至所述籽晶的高度,此时控制热场和工艺,进入长晶阶段。 |
地址 |
338000 江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室 |