| 摘要 |
[课题]提升热疲劳寿命。[解决手段]本发明相关的功率半导体装置,系以透过接合材(41),半导体晶片(10,10a)的一方之主面接合于身为基础构造体之基底电极体(30)的上面,进而,透过接合材(40),导线电极体(20)接合于半导体晶片(10,10a)的另一方之主面之方式构成。然后,半导体晶片(10,10a)系以p型或n型的半导体基板构成,于该基底电极体(30)侧的主面,形成n型或p型之高浓度的不纯物扩散层(12,12a),于半导体晶片(10,10a)的端部侧面,形成绝缘保护膜(50),进而于其外部,形成封止树脂体(60)。此时,半导体晶片(10,10a)内的pn接合部(13),系形成在自基底电极体(30)侧的主面开始的深度为半导体晶片(10,10a)整体的厚度的10~35%程度的位置。 |
