| 发明名称 | 一种三氯氢硅合成炉 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种三氯氢硅合成炉，包括反应段、气体分布板和下封头，下封头连接在反应段上，气体分布板连接在下封头上，所述气体分布板上设置有喷嘴，喷嘴位于下封头内。该合成炉改变了喷嘴的安装位置，消除了喷嘴的喷气死区，使得氯化氢气体与所有硅粉进行反应，生成三氯氢硅，提高硅粉利用率，同时还能避免由于硅粉的累积造成的塌炉。 | ||
| 申请公布号 | CN203922739U | 申请公布日期 | 2014.11.05 |
| 申请号 | CN201420324903.0 | 申请日期 | 2014.06.18 |
| 申请人 | 四川永祥多晶硅有限公司 | 发明人 | 罗周;刘汉元;李斌;甘居富 |
| 分类号 | C01B33/107(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/107(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人 | 冉鹏程 |
| 主权项 | 一种三氯氢硅合成炉，包括反应段、气体分布板和下封头，下封头连接在反应段上，气体分布板连接在下封头上，其特征在于：所述气体分布板上设置有喷嘴，喷嘴位于下封头内。 | ||
| 地址 | 614899 四川省乐山市五通桥区竹根镇永祥路100号 | ||