| 发明名称 | 记忆体元件与其制程;MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF | ||
| 摘要 | 一种记忆体元件,至少包括一叠层结构,该叠层结构具有上电极/上电阻转态层/氧电浆处理后的下电阻转态层/下电极之结构。 | ||
| 申请公布号 | TW201442310 | 申请公布日期 | 2014.11.01 |
| 申请号 | TW102114642 | 申请日期 | 2013.04.24 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 曾俊元;黄骏扬;江政鸿 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);H01L21/8239(2006.01);G11C13/00(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | <name>詹铭文</name><name>叶璟宗</name> | |
| 主权项 | |||
| 地址 | 台中市大雅区科雅一路8号 | ||