在块状半导体晶圆上形成鳍式场效电晶体／三闸极装置的方法;METHOD TO FORM finFET/TRIGATE DEVICES ON BULK SEMICONDUCTOR WAFERS

摘要

本发明说明了一种用于制造具有使鳍与基板绝缘的绝缘层的鳍式场效电晶体(finFET)装置之方法。该绝缘层可防止没有该绝缘层时将流经该基板中之块状半导体材料之漏电流。可以块状半导体基板开始制造该结构,而不需要绝缘层上覆半导体基板。可以磊晶生长法形成鳍结构,因而可改善该等装置中之鳍高度的一致性。