发明名称 发光二极体晶粒及其制作方法
摘要 一种发光二极体晶粒,包括基板以及形成在基板上的电学层,所述基板和电学层之间形成过渡层,所述过渡层包括表面平整的平整区和表面粗糙的图案区,所述电学层与过渡层的平整区表面接触且所述电学层与过渡层之间夹设有球形氮化铝,所述电学层与过渡层的图案区之间形成间隙。本发明还涉及一种该发光二极体晶粒的制作方法。
申请公布号 TWI459588 申请公布日期 2014.11.01
申请号 TW101107585 申请日期 2012.03.07
申请人 荣创能源科技股份有限公司 新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号 发明人 黄嘉宏;黄世晟;凃博闵;林雅雯;杨顺贵
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人
主权项 一种发光二极体晶粒,包括基板以及形成在基板上的电学层,其改良在于:所述基板和电学层之间形成过渡层,所述过渡层包括表面平整的平整区和表面粗糙的图案区,所述电学层与过渡层的平整区表面接触且所述电学层与过渡层之间夹设有球形氮化铝,所述电学层与过渡层的图案区之间形成间隙,所述过渡层为未掺杂的氮化镓。
地址 新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号