发明名称 |
IGBT的智能栅极驱动器 |
摘要 |
反向传导绝缘栅双极晶体管(RC-IGBT)、特别地双模式绝缘栅晶体管(BIGT)通过持续第一时期(51)地施加高电平栅极电压来对导通命令作出响应而被控制,在该第一时期期间将电流馈送到连接点,它将从该连接点通过RC-IGBT或沿不同的路径而流动。基于此,确定RC-IGBT是采用它的前向/IGBT还是反向/二极管模式传导,并且以高(a)或低(b)栅极电压驱动RC-IGBT。随后的传导模式改变可采用相同的方式监测,并且可相应地调整栅极电压(c,d)。特殊关断规程可响应于在RC-IGBT采用反向模式传导的情况下的关断命令而应用,其中在栅极电压下跌到关断水平(b,c)之前持续第二时期(52)地施加高电平脉冲。 |
申请公布号 |
CN104126273A |
申请公布日期 |
2014.10.29 |
申请号 |
CN201180074998.4 |
申请日期 |
2011.11.22 |
申请人 |
ABB 技术有限公司 |
发明人 |
F.霍斯尼;M.莫汉;S.N.R.帕穆拉帕蒂;A.科普塔;M.拉希莫;R.施內里;U.施拉普巴奇 |
分类号 |
H03K17/0812(2006.01)I;H03K17/082(2006.01)I;H03K17/18(2006.01)I;H03K17/567(2006.01)I |
主分类号 |
H03K17/0812(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
易皎鹤;刘春元 |
主权项 |
一种控制反向传导绝缘栅双极晶体管(RC‑IGBT)的方法,所述方法包括:在接收导通命令时:施加高电平栅极电压并且将电流馈送到经由单向传导元件(225;325)而连接到所述RC‑IGBT的集电极端子(C)并且经由串联电阻器(222;322,324)而连接到所述RC‑IGBT的发射极端子(E)的连接点(m);监测在第一时期(δ<sub>1</sub>)结束时的连接点电位(V<sub>m</sub>);以及响应于所述连接点电位低于阈值电位而施加低电平栅极电压。 |
地址 |
瑞士苏黎世 |