一种半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供具有第一区和第二区的半导体衬底，在半导体衬底上形成有包括自下而上依次层叠的高k介电层、高k介电层的保护层和牺牲栅电极层的伪栅极结构；去除位于伪栅极结构中的牺牲栅电极层；在半导体衬底上形成的沟槽中形成牺牲材料层；去除位于第二区上的牺牲材料层；在第二区上形成第一金属栅极结构；去除位于第一区上的牺牲材料层，并在第一区上形成第二金属栅极结构，其中，第一区为NFET区，第二区为PFET区；或者第一区为PFET区，第二区为NFET区。根据本发明，可使在半导体衬底中的NFET区和PFET区上分别形成的金属栅极结构之间具有良好的界面特性，改善半导体器件的运行速度和接触电阻，从而提升半导体器件的性能。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供具有第一区和第二区的半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有伪栅极结构，所述伪栅极结构包括自下而上依次层叠的高k介电层、所述高k介电层的保护层和牺牲栅电极层；去除位于所述半导体衬底上的伪栅极结构中的牺牲栅电极层；在所述半导体衬底上形成的沟槽中形成牺牲材料层；去除位于所述第二区上的牺牲材料层；在所述第二区上形成第一金属栅极结构；去除位于所述第一区上的牺牲材料层，并在所述第一区上形成第二金属栅极结构。