| 摘要 |
半導体装置を形成する方法。第１及び第２の材料を有する基板が提供され、第２の材料は、第１の材料によって吸蔵される。前記基板は、第１のノンプラズマエッチングプロセスを使用してエッチングされ、前記プロセスは、第２の材料をエッチングする速度と比較してより速い速度で第１の材料をエッチングする。第１のノンプラズマエッチングプロセスは、第１の材料の少なくとも一部の上に重なる第２の材料を曝露する。第２の材料は、次に、反応性ガスを含有するプラズマを使用してエッチングされ、第１の材料の少なくとも一部を曝露する。第２の材料をエッチングすることにより曝露された第１の材料の少なくとも一部を含む第１の材料が、第２のノンプラズマエッチングプロセスを使用してエッチングされる。 |
