高载子移动率铜铟镓硒薄膜结构与制作方法

摘要

本发明系为一种高载子移动率铜铟镓硒薄膜结构与制作方法，在铜铟镓硒薄膜与电极层及之间加入氮化铝薄膜，藉由改变氮化铝薄膜之制程参数，调整氮化铝薄膜达到最佳化之条件，以提高铜铟镓硒主吸收层之载子迁移率及磊晶品质；以此技术制作之高载子迁移率之铜铟镓硒薄膜将显着提升太阳能电池元件之操作特性，有利于铜铟镓硒太阳能电池产业之发展。

主权项

一种高载子移动率铜铟镓硒薄膜结构，系包括：一基板；一电极层，系形成于该基板上；一缓冲层，系以室温至300℃之间之低温形成于该电极层上；以及一吸收层，系经由两阶段升温直接形成于该缓冲层上，且吸收层系为铜铟镓硒半导体材料，透过加入缓冲层，以制作高载子迁移率之铜铟镓硒主吸收层，并且提升铜铟镓硒主吸收层之品质，其中第一阶段为低温扩散，第二阶段为高温硒化。