发明名称 氧化物超导导体及其制造方法
摘要 本发明的氧化物超导导体具备基材和形成在所述基材上的氧化物超导层,该氧化物超导层由以RE<sub>1</sub>Ba<sub>2</sub>Cu<sub>3</sub>O<sub>y</sub>(式中,RE表示稀土类元素,并满足6.5<y<7.1)的组成式表示的氧化物超导体构成。在所述氧化物超导层中分散有常导相和异相,上述常导相含有Ba,上述异相含有离子半径比Ba的离子半径小的碱土类金属。上述常导相为含有选自Zr、Sn、Hf、Ce及Ti中的1种和Ba的氧化物。
申请公布号 CN102834879B 申请公布日期 2014.10.15
申请号 CN201180018194.2 申请日期 2011.04.21
申请人 株式会社藤仓 发明人 五十岚光则
分类号 H01B12/06(2006.01)I;C01G1/00(2006.01)I;C01G3/00(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I 主分类号 H01B12/06(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 金世煜;苗堃
主权项 一种氧化物超导导体,其特征在于,具备基材和形成在所述基材上的氧化物超导层,所述氧化物超导层由以RE<sub>1</sub>Ba<sub>2</sub>Cu<sub>3</sub>O<sub>y</sub>的组成式表示的氧化物超导体构成,所述式中,RE表示稀土类元素,并满足6.5<y<7.1,在所述氧化物超导层中分散有常导相和异相,所述常导相含有Ba,所述异相含有离子半径比Ba的离子半径小的碱土类金属,所述常导相为含有选自Zr、Sn、Hf、Ce及Ti中的1种和Ba的氧化物,相对于所述RE<sub>1</sub>Ba<sub>2</sub>Cu<sub>3</sub>O<sub>y</sub>,选自所述Zr、Sn、Hf、Ce及Ti中的1种以0.01质量%~1质量%的范围包含在所述氧化物超导层中,相对于所述RE<sub>1</sub>Ba<sub>2</sub>Cu<sub>3</sub>O<sub>y</sub>,所述碱土类金属以0.01质量%~0.25质量%的范围包含在所述氧化物超导层中,相对于选自所述Zr、Sn、Hf、Ce和Ti中的1种的导入量,所述碱土类金属的导入量为40mol%以下。
地址 日本东京都