一种GMI和GMR相结合的磁敏传感器件

摘要

一种GMI和GMR相结合的磁敏传感器件，属于磁传感器技术领域。包括位于同一衬底基片上的GMI结构单元和GMR结构单元，GMI结构单元和GMR结构单元之间采用金属连接电极实现串联。本发明在确凿的理论分析和实验验证的基础上，将GMR磁敏传感器的工作模式由直流驱动变为交流驱动，同时兼顾GMI磁敏传感器和GMR磁敏传感器的灵敏度选择合适的驱动频率。本发明提供的GMI和GMR相结合的磁敏传感器件，采用同一低频交流驱动信号，在弱磁场和强磁场下分别通过GMI结构单元和GMR结构单元实现对磁场的测量。克服了现有GMI磁敏传感器和GMR磁敏传感器固有的缺点，能够实现0~2000Gauss全量程范围的高精度测量。

主权项

一种GMI和GMR相结合的磁敏传感器件，包括位于同一衬底基片(1)上的GMI结构单元(2)和GMR结构单元(3)；所述GMI结构单元(2)和GMR结构单元(3)之间具有金属连接电极(4)实现二者相互串联，GMI结构单元(2)另一端具有金属电极(5)作为整个磁敏传感器件的输入或输出电极，GMR结构单元(3)另一端具有金属电极(6)作为整个磁敏传感器件的输出或输入电极； 所述GMI结构单元(2)和GMR结构单元(3)采用光刻掩膜真空镀膜工艺在同一基片上分别制备，然后采用同样的掩膜工艺制备Cu输入和输出电极，并完成GMI结构单元（2）和GMR结构单元（3）的串联连接。