发明名称 |
WS<sub>2</sub>带孔纳米片/石墨烯电化学贮镁复合电极及制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种WS<sub>2</sub>带孔纳米片/石墨烯电化学贮镁复合电极及其制备方法,其电化学贮镁活性物质为WS<sub>2</sub>带孔纳米片/石墨烯的复合纳米材料,复合纳米材料中WS<sub>2</sub>带孔纳米片和石墨烯的物质的量之比为1:1-1:3,WS<sub>2</sub>带孔纳米片为少层数,复合电极的组分及其质量百分比含量为:WS<sub>2</sub>带孔纳米片/石墨烯复合纳米材料为80%,乙炔黑10%,羧甲基纤维素5%,聚偏氟乙烯5%。制备步骤:先制备得到WS<sub>2</sub>带孔纳米片/石墨烯复合纳米材料,将所制备的复合纳米材料与乙炔黑、羧甲基纤维素及聚偏氟乙烯调成浆料,涂到集流体上,干燥后滚压获得。本发明制备的复合纳米材料电化学贮镁复合电极具有高的可逆贮镁容量,具有广泛的应用前景。 |
申请公布号 |
CN104091927A |
申请公布日期 |
2014.10.08 |
申请号 |
CN201410340137.1 |
申请日期 |
2014.07.17 |
申请人 |
浙江大学 |
发明人 |
陈卫祥;黄国创;王臻;马琳;叶剑波 |
分类号 |
H01M4/136(2010.01)I;H01M4/1397(2010.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
H01M4/136(2010.01)I |
代理机构 |
杭州赛科专利代理事务所 33230 |
代理人 |
冯年群 |
主权项 |
一种WS<sub>2</sub>带孔纳米片/石墨烯电化学贮镁复合电极, 其特征在于,所述复合电极的电化学贮镁活性物质为WS<sub>2</sub>带孔纳米片/石墨烯的复合纳米材料,所述复合纳米材料中WS<sub>2</sub>带孔纳米片和石墨烯的物质的量之比为1:1‑1:3,所述WS<sub>2</sub>带孔纳米片为少层数的层状结构,所述复合电极的组分及其质量百分比含量为:WS<sub>2</sub>带孔纳米片/石墨烯复合纳米材料80%,乙炔黑10%,羧甲基纤维素5%, 聚偏氟乙烯5%。 |
地址 |
310027 浙江省杭州市浙大路38号 |