| 发明名称 | 多芯片半导体功率器件 | ||
| 摘要 | 一种多芯片半导体功率器件，该半导体器件包括：第一半导体功率芯片，其被安装在第一载体上方；以及第二半导体功率芯片，其被安装在第二载体上方。该半导体器件进一步包括：接触片，其被安装在第一半导体功率芯片的上方以及第二半导体功率芯片上。半导体逻辑芯片被安装在接触片的上方。 | ||
| 申请公布号 | CN104064544A | 申请公布日期 | 2014.09.24 |
| 申请号 | CN201410104223.2 | 申请日期 | 2014.03.20 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | 张薇;J.赫格劳尔;R.奥特伦巴;X.施勒格尔 |
| 分类号 | H01L23/498(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I;H01L25/16(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/58(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/498(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张涛;胡莉莉 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：第一载体，其具有安装表面；第一半导体功率芯片，其被安装在所述第一载体的安装表面的上方并且具有背对所述第一载体的第一表面；第二载体，其具有安装表面；第二半导体功率芯片，其被安装在所述第二载体的安装表面的上方并且具有背对所述第二载体的第一表面；连接元件，其具有第一表面，以及背对该第一表面的安装表面，所述连接元件的第一表面连接到所述第一半导体功率芯片的第一表面；以及第三半导体芯片，其被安装在所述连接元件的安装表面的上方。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||