| 发明名称 | 晶圆、面板、半导体器件以及玻璃处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了玻璃处理方法、晶圆、面板以及半导体器件。在一些实施例中，处理玻璃衬底的方法包括：在玻璃衬底上形成第一薄膜，第一薄膜具有第一孔隙率。该方法包括：在第一薄膜上形成第二薄膜，第二薄膜包括电绝缘材料并具有第二孔隙率。第一孔隙率低于第二孔隙率。 | ||
| 申请公布号 | CN104045243A | 申请公布日期 | 2014.09.17 |
| 申请号 | CN201310256211.7 | 申请日期 | 2013.06.25 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 廖文翔 |
| 分类号 | C03C17/23(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I | 主分类号 | C03C17/23(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种处理玻璃衬底的方法，所述方法包括：在所述玻璃衬底上形成第一薄膜，所述第一薄膜具有第一孔隙率；以及在所述第一薄膜上形成第二薄膜，所述第二薄膜包括电绝缘材料并且具有第二孔隙率，其中，所述第一孔隙率低于所述第二孔隙率。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||