| 发明名称 | 去除双大马士革工艺中聚合物残留的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种去除双大马士革工艺中聚合物残留的方法，其包括：在半导体器件衬底上涂覆光刻胶；经光刻工艺，图案化光刻胶；经刻蚀工艺，刻蚀半导体器件衬底；去除光刻胶；采用有机药液和水对半导体器件衬底进行第一清洗过程；采用低浓度氢氟酸溶液对半导体器件衬底进行第二清洗过程。通过采用有机药液和低浓度氢氟酸相结合的清洗方式，即经现有的清洗过程之后，再增加一道采用低浓度氢氟酸的清洗过程，从而有效地去除了刻蚀工艺后半导体器件衬底上的聚合物残留，避免了后续工艺中聚合物覆盖在半导体器件衬底表面而形成的金属层大面积缺失的现象，提高了工艺质量。 | ||
| 申请公布号 | CN104051238A | 申请公布日期 | 2014.09.17 |
| 申请号 | CN201410217630.4 | 申请日期 | 2014.05.20 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 王洲男;倪棋梁;龙吟;陈宏璘 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人 | 吴世华;林彦之 |
| 主权项 | 一种刻蚀工艺的清洗方法，其特征在于，包括：在半导体器件衬底上涂覆光刻胶；经光刻工艺，图案化光刻胶；经刻蚀工艺，刻蚀所述半导体器件衬底；去除所述光刻胶；采用有机药液和水对所述半导体器件衬底进行第一清洗过程；采用低浓度氢氟酸溶液对所述半导体器件衬底进行第二清洗过程。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||