三族氮化物半导体发光元件及其制造方法;GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

摘要

本发明提供III族氮化物半导体发光元件(其中一平坦半导体层系生长在设有不平坦形状的蓝宝石基板上)及其制造方法。当主要表面上的平坦面面积S对蓝宝石基板的总面积K之面积比率R为0.1或更高(但低于0.5)时,在蓝宝石基板(其主要表面上具有不平坦形状)上形成半导体层的步骤中,供应下列至少二类气体以满足方程式1000≦Y/(2R)≦1200:一包含III族元素之原料气体、和一包含V族元素之原料气体。在此方程式中,Y为该包含V族元素之原料气体对该包含III族元素之原料气体的分压比率。