光二极体阵列

摘要

本发明之光二极体阵列包括形成于半导体基板之复数个光二极体。光二极体之各者具有:第1导电型之第1半导体区域,其设置于半导体基板;第2导电型之第2半导体区域,其以包围特定区域之方式,相对于第1半导体区域而设置于半导体基板之一面侧,且与第1半导体区域一同构成光检测区域;及贯通电极,其设置于以通过第1半导体区域及特定区域之方式贯通一面与半导体基板之另一面之间之贯通孔内,且与第2半导体区域电性连接。贯通孔包含自一面向另一面扩大之部分。