发明名称 低速电子射线用荧光体及荧光显示装置
摘要 本发明提供一种兼得不含镉的荧光体的高亮度化及长寿命化且具有优良的高温放置特性的低速电子射线用荧光体及使用该荧光体的荧光显示装置,为此,将荧光体设为,在以下述化学式(1)表示的荧光体主体表面形成有附着层,该附着层为依次层叠于荧光体主体表面的多个氧化物层。Ca<sub>1-x</sub>Sr<sub>x</sub>TiO<sub>3</sub>:Pr,M(1)。在此,M为选自Al、Ga、In、Mg、Zn、Li、Na、K、Gd、Y、La、Cs及Rb的至少一种元素,0≤x≤1。
申请公布号 CN102191047B 申请公布日期 2014.09.10
申请号 CN201110050009.X 申请日期 2011.03.02
申请人 则武伊势电子株式会社;株式会社则武 发明人 加藤浩司
分类号 C09K11/67(2006.01)I;B32B9/00(2006.01)I;H01J29/20(2006.01)I 主分类号 C09K11/67(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 李帆
主权项 低速电子射线用荧光体,其在以下述化学式(1)表示的荧光体主体上形成有附着层,其特征在于,所述附着层为层叠于所述荧光体主体表面的3个氧化物层,所述3个氧化物层由选自Gd、Pr、Y、Zn、Ta及Sr的至少一种元素的氧化物MO1的层、选自Si、Al、Mo及Sb的至少一种元素的氧化物MO2的层、和选自Ti及W的至少一种元素的氧化物MO3的层组成,所述氧化物MO1的层以及所述氧化物MO2的层的任一个自所述荧光体主体表面起为第1层,剩下的氧化物的层为第2层,最外层为所述氧化物MO3的层,CaTiO<sub>3</sub>﹕Pr,M(1)在此,M为选自Al、Ga、In、Mg、Zn、Li、Na、K、Gd、Y以及La的至少一种元素。
地址 日本三重县