基于埋层N型阱的异质结1T-DRAM的制备方法

摘要

本发明提供了一种基于埋层N型阱的1T-DRAM结构及其制备方法，埋层N型阱和源区采用宽禁带的半导体材料，而漏区采用窄禁带的半导体材料，即采用异质结的方法来改善常规1T-DRAM的性能，增大了信号裕度、1T-DRAM的保留时间和1T-DRAM单元的读写速率。

主权项

一种制备异质结1T‑DRAM结构的方法，其特征在于，步骤包括：步骤1，制备基片，所述基片包括硅衬底、体区层、以及硅衬底、体区层之间的埋层N型阱，所述埋层N型阱材质为N型碳化硅；步骤2，在基片中形成浅沟槽，并且浅沟槽形成在体区层和埋层N型阱中，其中浅沟槽的底部形成在埋层N型阱中；再进行栅极工艺在体区层上形成栅极；步骤3，在体区层和栅极上覆盖一层光刻胶，并进行光刻，以在光刻胶中形成第一源区开口，通过第一源区开口在体区层中进行轻掺杂工艺注入N型离子形成浅掺杂源区，并同时在浅掺杂源区中注入低能量碳离子，以形成N型碳化硅浅掺杂源区，之后剥离残余的光刻胶；在体区层和栅极上覆盖一层光刻胶，并进行光刻，以在光刻胶中形成第一漏区开口，通过第一漏区开口在体区层中进行轻掺杂工艺注入N型离子形成浅掺杂漏区，并在浅掺杂漏区中注入低能量锗离子，形成N型锗硅的浅掺杂漏区，之后剥离残余的光刻胶；制备出N型碳化硅浅掺杂源区和N型锗硅的浅掺杂漏区后，在栅极的侧部形成栅极侧墙；步骤4，在体区层和栅极上覆盖一层光刻胶，并进行光刻，以在光刻胶中形成第二源区开口，通过第二源区开口在体区层中进行重掺杂注入N型离子形成重掺杂的源区，并在重掺杂的源区中注入高能量碳离子，形成N型重掺杂碳化硅源区，之后剥离残余的光刻胶；在体区层和栅极上覆盖一层光刻胶，并进行光刻，以在光刻胶中形成第二漏区开口，通过第二漏区开口在体区层中进行重掺杂注入N型离子形成重掺杂的漏区，并在重掺杂的漏区中注入高能量的锗离子，形成N型重掺杂区的锗硅漏区；步骤5：退火激活注入的离子，形成N⁺型碳化硅源区和N⁺型锗硅漏区；步骤6：参照NMOS工艺，将源极接地，漏极接位线，栅极接字线，形成1T‑DRAM单元。