有源矩阵有机发光显示器阵列基板制作方法

摘要

本发明公开了一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板制作方法，包括如下步骤：提供一基板；在基板上形成第一半导体图形和第二半导体图形；继续形成栅绝缘层和第一金属层，采用光刻形成栅极；接着沉积层间绝缘层，采用刻蚀的方法形成四个接触孔；继续形成第二金属层、源极、漏极和存储电容电极；接着继续形成钝化绝缘层和透明电极层；最后在整个表面形成保护膜层和蒸镀材料层，利用多灰阶掩膜板进行曝光形成台阶式保护膜层。本发明提供的有源矩阵有机发光显示器阵列基板制作方法，利用多灰阶掩膜板进行曝光形成台阶式保护膜层，从而有效减小保护膜层的台阶差，降低AMOLED点缺陷显示不良的发生几率，进而提高AMOLED的显示品质。

主权项

一种有源矩阵有机发光显示器阵列基板制作方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供一基板（20）； 在基板（20）上形成缓冲层和半导体层，采用光刻形成第一半导体图形（201）和第二半导体图形（202）； 在上述基板（20）上继续形成栅绝缘层(31)和第一金属层（212），采用光刻形成栅极(211)； 接着在上述基板（20）上沉积层间绝缘层(32)，采用刻蚀的方法在层间绝缘层(32)上形成第一接触孔（321）、第二接触孔（322）、第三接触孔（323）和第四接触孔（324）； 在上述基板（20）上继续形成第二金属层（223），采用光刻形成源极（221)、漏极（222）和存储电容电极，所述源极（221)通过第一接触孔（321）和第一半导体图形（201）相连，所述漏极（222）通过第二接触孔（322）和第一半导体图形（201）相连，所述存储电容电极通过第三接触孔（323）和第二半导体图形（202）相连； 接着在上述基板（20）上方继续形成钝化绝缘层（33）覆盖源极（221)和漏极（222）；在钝化绝缘层（33）上蚀刻形成连通第四接触孔（324）的第五接触孔（331）； 接下来在基板（20）上方形成透明电极膜层（414），采用光刻形成透明电极层（231)，所述透明电极层（231)通过贯通的第四接触孔（324）、第五接触孔（331）和第一金属层（212）相连； 最后，在基板（20）的整个表面形成保护膜层（413）和蒸镀材料层（412），所述保护膜层（413）位于透明电极层（231）和蒸镀材料层（412）之间，利用多灰阶掩膜板（411）进行曝光，所述多灰阶掩膜板（411）为狭缝式三灰阶掩膜板或者半透光式三灰阶掩膜板；第一半导体图形（201）和第二半导体图形（202）所在位置为半曝光，透明电极层（231)所在位置为全曝光，其余区域为不曝光；形成台阶式保护膜层，所述台阶式保护膜层厚度为2微米，各台阶的高度差为0.5微米。