| 发明名称 | 具有低应力薄膜间隙的贯穿硅穿孔装置及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有低应力薄膜间隙的贯穿硅穿孔装置及其形成方法，本发明的态样普遍关于用于形成在硅穿孔与晶体管之间具有“缓冲区”或间隙层的如硅穿孔装置等半导体装置的方法。间隙层通常以控制装置上应力及破裂形成的低应力、薄膜填料予以填充。还有，间隙层确保介于硅穿孔与晶体管之间的特定空间距离以降低温度偏移的负面效应。 | ||
| 申请公布号 | CN103972214A | 申请公布日期 | 2014.08.06 |
| 申请号 | CN201410022854.X | 申请日期 | 2014.01.17 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | 刘黄;萨拉斯瓦蒂·沈格拉朱;王振裕 |
| 分类号 | H01L23/528(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/528(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种用于形成半导体装置的方法，包含：在该半导体装置的基底上形成介电层；蚀刻该半导体装置，以在该介电层和该基底中产生一组间隙；以薄膜填料填充该组间隙，以产生一组填充间隙；研磨该薄膜填料；以及在该半导体装置中形成硅穿孔(TSV)，其中，该组填充间隙位于接近该硅穿孔处。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 | ||