发明名称 |
在太阳能电池中产生二维图式掺杂的方法 |
摘要 |
本发明揭示一种指叉式背接触太阳能电池及其制造指叉式背接触太阳能电池的改良方法。第一光罩是用n型掺杂物的图案化离子植入以完成背面场。第二光罩是用以在同一平面上产生p型发射体。第二光罩用以与n型植入对齐,并于多个取向以产生所需的p型发射体。在一些实施例中,进行p型参杂物全面性离子布植。在一些实施例中,产生掺杂梯度。 |
申请公布号 |
CN103975450A |
申请公布日期 |
2014.08.06 |
申请号 |
CN201280059584.9 |
申请日期 |
2012.10.08 |
申请人 |
瓦里安半导体设备公司 |
发明人 |
约翰·W·葛拉夫;班杰明·B·里欧登;尼可拉斯·P·T·贝特曼;约瑟·C·欧尔森 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L21/266(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
张洋 |
主权项 |
一种处理基板的方法,用以产生一指叉状背接触太阳能电池,包括:经由具有多个第一开口的第一光罩植入n型掺杂物质,以在该基板上产生对应的多个n型掺杂区域;经由第二光罩执行第一次p型掺杂物布植,用以在该基板产生多个第一p型掺杂条纹区域,其中该第二光罩具有多个条纹开口,其中该些条纹开口其中一对之间的距离大于该些第一开口的尺寸,其中对齐该第二光罩以使该些n型掺杂区域不被该第一次p型掺杂物布植所植入;以及经由第三光罩执行第二次p型掺杂物布植,用以在该基板产生多个第二p型掺杂条纹区域,其中对齐该第三光罩以使该些n型掺杂区域不被该第二次p型掺杂物布植所植入。 |
地址 |
美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号 |