半导体结构及其形成方法、化合物半导体结构;SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FORMING THE SAME, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR STRUCTURE

摘要

本发明提供一种半导体结构,前述半导体结构包括位于基板上之一缓冲层、位于缓冲层上之一渐变式氮化铝镓层、位于渐变式氮化铝镓层上之一氮化镓层、位于氮化镓层上之一第二氮化铝镓层、及位于第二氮化铝镓层上之一闸极堆叠。前述闸极堆叠包括一三-五族化合物p型掺杂层、一三-五族化合物n型掺杂层、介于三-五族化合物p型掺杂层与三-五族化合物n型掺杂层之间的一氮化铝层、及形成于前述三-五族化合物p型掺杂层、三-五族化合物n型掺杂层、及氮化铝层上的一金属层中的一个或多个。于前述金属层下亦可设置一介电层。