一种GaN衬底激光二极管的制造方法

摘要

本发明公开了一种GaN衬底激光二极管的制造方法，其包括形成GaN衬底以及依次沉积p型包覆层、p型光导层、有源层、n型阻挡层、n型光导层和n型包覆层。其中形成GaN衬底的方法包括将GaN晶片放入高温高压装置中，对GaN晶片加热的同时加压，加热温度为820～880℃，加压压力为4.1~4.6GPa，保持10～15分钟；停止加热加压，使GaN晶片恢复至常温常压；在高温高压装置中退火20～30分钟后，取出GaN晶片。该方法可以明显的减小激光二极管衬底中的晶体缺陷密度，提高激光二极管的性能和寿命。

主权项

一种GaN衬底激光二极管的制造方法，包括如下步骤，首先形成GaN衬底，其次在衬底上依次沉积了p型包覆层、p型光导层、有源层、n型阻挡层、n型光导层和n型包覆层，其特征在于，形成GaN衬底的方法包括如下步骤：（1）在常温常压下，将GaN晶片放入高温高压装置中，在高温高压装置中加入传压介质，该传压介质为NaCL和液氮；（2）对GaN晶片加热的同时加压，加热至温度为820～880℃，加压至压力为4.1～4.6GPa，保持10～15分钟；（3）停止加热，使GaN晶片冷却至常温；同时缓慢卸压，使GaN晶片恢复至常压；卸压速度为0.5～0.8GPa/分钟；（4）在高温高压装置中退火20～30分钟后，取出GaN晶片。