| 发明名称 | 具有CrCu合金势垒的肖特基势垒二极管 | ||
| 摘要 | 具有CrCu合金势垒的肖特基势垒二极管属于分立半导体器件技术领域。现有技术普遍使用Cr作为肖特基势垒二极管的材料势垒，然而，Cr的功函数较低，导致器件I<sub>R</sub>参数能力较弱。虽然Pt的功函数较高，但是价格昂贵。而采用CrNi合金取代Cr所获得的I<sub>R</sub>参数不稳定。本发明之具有CrCu合金势垒的肖特基势垒二极管其特征在于，与N型硅半导体材料形成肖特基势垒层的金属材料为CrCu合金，Cu在CrCu合金中的质量百分含量为0.5～0.35%。本发明其技术效果在于，使得肖特基势垒二极管的I<sub>R</sub>的值能够降低30%以上，如从40μA降低到20μA，参数能力得到明显改善。 | ||
| 申请公布号 | CN103943687A | 申请公布日期 | 2014.07.23 |
| 申请号 | CN201410114248.0 | 申请日期 | 2014.03.24 |
| 申请人 | 吉林麦吉柯半导体有限公司 | 发明人 | 刘彦涛;王斌;黄福成;田振兴 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;C22C27/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人 | 陶尊新 |
| 主权项 | 一种具有CrCu合金势垒的肖特基势垒二极管，其特征在于，与N型硅半导体材料形成肖特基势垒层（4）的金属材料为CrCu合金，Cu在CrCu合金中的质量百分含量为0.5～0.35%。 | ||
| 地址 | 132013 吉林省吉林市深圳街99号 | ||