在用于CMOS器件的含锗沟道上对氧化硅和高K栅极电介质的无氧化锗的原子层沉积

摘要

包括含锗衬底的一种半导体器件，其中该半导体器件包括在半导体衬底的沟道区域上的栅极结构。该栅极结构可以包括与含锗衬底的上表面直接接触的氧化硅层、与氧化硅层直接接触的至少一个高-k栅极电介质层、以及与高-k栅极电介质层直接接触的至少一个栅极导体。氧化硅层和含锗衬底的上表面之间的界面基本上不含氧化锗。源极区域和漏极区域可以存在于沟道区域的相对侧上。

主权项

一种形成半导体器件的方法，包括：在从375℃到450℃范围的沉积温度下，利用原子层沉积(ALD)在含锗衬底上沉积氧化硅层，其中沉积温度使氧化锗从含锗衬底的表面挥发；在氧化硅层上形成高‑k栅极电介质层；在含锗衬底的沟道部分上形成栅极结构，其中栅极结构包括在电介质层叠的上表面上的至少一个栅极导体，该电介质层叠由高‑k栅极电介质层的一部分和氧化硅层的一部分组成；及在含锗衬底的沟道部分的相对侧上形成源极区域和漏极区域。