制造非挥发性记忆体装置之方法

摘要

一种利用一半导体基板(12)形成一非挥发性记忆体装置(10)之方法。形成一电荷储存层(14)覆盖在该半导体基板上，及形成一闸极材料层覆盖在该电荷储存层(14)上以形成一控制闸极电极(16)。一保护层(18、20)覆盖在该闸极材料层上。掺杂物植入到半导体基板(12)内并至少于控制闸极电极(16)的一侧自对准于控制闸极电极，以于半导体基板中形成一源极(34)及一汲极(36)于控制闸极电极(16)之相对侧上。该保护层防止该等掺杂物渗入到该控制闸极电极中。该保护层覆盖在闸极材料上的部分被除去。电触点(42、44及48)被制于控制闸极电极(16)、源极(34)及汲极(36)。在某一形式中，又提供一选择闸极(28)于记忆体装置内。

主权项

一种利用一半导体基板形成一非挥发性记忆体装置之方法，包括以下步骤：形成一电荷储存层，该电荷储存层包括一可储存电荷的材料；形成一控制闸极电极，其覆盖于该电荷储存层；形成一保护层，其覆盖于该控制闸极电极，该保护层藉由一可予蚀刻但不蚀刻氧化物、矽和氮化物之蚀刻剂而允许蚀刻选择性；形成一第一侧壁间隔件，其靠近于该控制闸极电极；形成一第二侧壁间隔件，其靠近于该第一侧壁间隔件；从该控制闸极电极之一侧移除该第二侧壁间隔件，同时留下靠近于该控制闸极电极之一相对侧之剩余的第二侧壁间隔件；在该半导体基板内形成第一和第二电流电极区，其分别地对准于该第一侧壁间隔件的一外缘及该第二侧壁间隔件之一外缘；从该剩余的第二侧壁间隔件形成一选择闸极电极；移除覆盖于该控制闸极电极的该保护层；及制作电触点至该控制闸极电极、该选择闸极电极和该第一和第二电流电极区。