发明名称 |
一种磁控溅射装置及方法 |
摘要 |
本发明提供了一种磁控溅射装置及方法,用于解决现有技术中利用磁控溅射技术进行镀膜时,靶材利用率较低的问题。所述装置包括被成膜基板、与所述被成膜基板相对设置的靶材,以及位于所述靶材的与被成膜基板相反的一侧的磁铁组件,所述装置还包括与所述磁铁组件的远离靶材的一端连接的第一驱动结构,用于承载所述磁铁组件,并通过所述第一驱动结构控制所述磁铁组件与所述靶材的相对位置,进而控制由所述磁铁组件产生的、覆盖在靶材表面上的与所述被成膜基板相应的磁场的范围。 |
申请公布号 |
CN103911592A |
申请公布日期 |
2014.07.09 |
申请号 |
CN201410102517.1 |
申请日期 |
2014.03.19 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方显示光源有限公司 |
发明人 |
张启平;方旭东;王伟;孙文波 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
一种磁控溅射装置,所述装置包括被成膜基板、与所述被成膜基板相对设置的靶材,以及位于所述靶材的与被成膜基板相反的一侧的磁铁组件,其特征在于,所述装置还包括与所述磁铁组件的远离靶材的一端连接的第一驱动结构,用于承载所述磁铁组件,并通过所述第一驱动结构控制所述磁铁组件与所述靶材的相对位置,进而控制由所述磁铁组件产生的、覆盖在靶材表面上的与所述被成膜基板相应的磁场的范围。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |