检测晶体管重叠电容的方法、消除晶体管重叠电容的方法

摘要

一种检测晶体管重叠电容的方法、一种消除晶体管重叠电容的方法，其中，检测晶体管重叠电容的方法包括：形成第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的第一栅介质层具有第一等效氧化厚度，第二晶体管的第二栅介质层具有第二等效氧化厚度，第二等效氧化厚度与第一等效氧化厚度不同；第二源漏区表面具有第二导电结构，第一导电结构和第二导电结构的形成工艺和尺寸相同；测试获取第一导电结构的顶部表面与第一栅电极层的顶部表面之间的第一电容测试获取第二导电结构的顶部表面与第二栅电极层的顶部表面之间的第二电容；根据第一电容和第二电容，获取第一晶体管的重叠电容和第二晶体管的重叠电容。该检测方法能检测晶体管的重叠电容。

主权项

一种检测晶体管重叠电容的方法，其特征在于，包括：形成第一晶体管和与第一晶体管对应的第二晶体管，其中，第一晶体管与第二晶体管的形成工艺和尺寸相同，所述第一晶体管的第一栅介质层具有第一等效氧化厚度，所述第二晶体管的第二栅介质层具有第二等效氧化厚度，所述第二等效氧化厚度与第一等效氧化厚度不同；所述第一晶体管的第一源漏区具有与第一晶体管的第一栅电极层重叠的第一重叠区；所述第一源漏区表面具有第一导电结构；所述第二晶体管的第二源漏区具有与第二晶体管的第二栅电极层重叠的第二重叠区；所述第二源漏区表面具有第二导电结构，所述第一导电结构和第二导电结构的形成工艺、位置和尺寸相同；测试获取所述第一导电结构的顶部表面与第一栅电极层的顶部表面之间的第一电容；测试获取所述第二导电结构的顶部表面与第二栅电极层的顶部表面之间的第二电容；根据所述第一电容和第二电容，获取第一晶体管的重叠电容和第二晶体管的重叠电容。