一种用于氮掺杂碳化硅薄膜的离线监控方法

摘要

本发明为一种用于氮掺杂碳化硅薄膜的离线监控方法，本发明涉及半导体集成电路制造技术，尤其涉及一种用于氮掺杂碳化硅薄膜的离线监控方法。所述方法包括以下步骤：提供一裸片晶圆；在所述裸片晶圆上生长一层二氧化硅薄膜；在所述二氧化硅薄膜上生长一金属层；去除所述金属层表面的粘污染；在所述金属层上制备氮掺杂碳化硅薄膜，以形成一监控晶圆；测量参数；回收所述监控晶圆，去除所述氮掺杂碳化硅薄膜和所述金属层；去除所述二氧化硅薄膜，以重新形成裸片晶圆；重复上述步骤。本发明可以实现氮掺杂碳化硅薄膜离线监控晶圆在半导体生产线上的直接回收利用，节约氮掺杂碳化硅薄膜的离线监控晶圆的回收成本，且无需较大的备用裸片晶圆储备量。

主权项

一种用于氮掺杂碳化硅薄膜的离线监控方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤S1、提供一裸片晶圆；步骤S2、在所述裸片晶圆上生长一层二氧化硅薄膜；步骤S3、在所述二氧化硅薄膜上生长一金属层；步骤S4、去除所述金属层表面的粘污染；步骤S5、在所述金属层上制备氮掺杂碳化硅薄膜，以形成一监控晶圆；步骤S6、测量参数；步骤S7、回收所述监控晶圆，去除所述氮掺杂碳化硅薄膜和所述金属层；步骤S8、去除所述二氧化硅薄膜，以重新形成裸片晶圆；步骤S9、重复上述步骤S2‑S8。