制造多成分薄膜的方法

摘要

本发明提供了制备多成分薄膜的方法。本文描述了用于沉积多成分薄膜的方法和液基前体组合物。在一个实施方式中，本文所述的方法和组合物用于沉积碲锗(GeTe)、碲锑(SbTe)、锗锑(SbGe)、锗锑碲(GST)、铟锑碲(IST)、银铟锑碲(AIST)、碲化镉(CdTe)、硒化镉(CdSe)、碲化锌(ZnTe)、硒化锌(ZnSe)、铜铟镓硒(CIGS)薄膜或其他用于相变存储器和光伏装置的碲和硒基的金属化合物。

主权项

一种将多成分薄膜沉积在基底的至少一部分上的方法，包括以下步骤：(a)将基底与液相Ge前体或包含Ge前体的前体溶液接触，以与基底反应和提供包含Ge的第一涂层；(b)用冲洗溶液冲洗第一涂层的至少一部分，以除去任何未反应的Ge前体；(c)将包含Ge的第一涂层与液相Te前体或包含Te前体的前体溶液接触，其中，Te前体的至少一部分与其中包含的Ge反应，以提供包含Ge和Te的第二涂层；(d)用冲洗溶液冲洗第二涂层的至少一部分，以除去未反应的Te前体；(e)将包含Ge和Te的第二涂层与液相Sb前体或包含Sb前体的前体溶液接触，其中，Sb前体的至少一部分与其中包含的Ge和Te的至少一部分反应，以提供包含Ge、Te和Sb的第三涂层；(f)用冲洗溶液冲洗第三涂层的至少一部分，以除去任何未反应的Sb前体；(g)将包含Ge、Te和Sb的第三涂层与液相Te前体或包含Te前体的前体溶液接触，以与第三涂层反应而提供包含Ge、Te和Sb的第四涂层；和(h)用冲洗溶液冲洗第四涂层的至少一部分，以除去任何未反应的Te前体；其中，重复步骤(a)至(h)，以形成多个涂层和提供所述薄膜；其中，所述Ge前体包括具有式MX_n的化合物，其中，M是Ge，X是选自OR(烷氧基)、F(氟)、Cl(氯)、Br(溴)、NR₂(氨基)、CN(氰基)、OCN(氰酸根)、SCN(硫氰酸根)、二酮酸根、羧基及其混合物的亲核基团，和n＝2至4；其中，所述Te前体包括选自具有通式(R¹R²R³Si)₂Te的二甲硅烷基碲、具有通式(R¹R²R³Si)TeR⁴的烷基甲硅烷基碲及其混合物的甲硅烷基碲，其中，R¹、R²、R³和R⁴各自独立地选自：氢；直链、支链或不饱和的C_1‑10烷基基团；C_4‑10环烷基基团和C_4‑12芳香基团；其中，所述Sb前体包括具有式MX_n的化合物，其中，M是Sb，X是选自OR(烷氧基)、F(氟)、Cl(氯)、Br(溴)、NR₂(氨基)、CN(氰基)、OCN(氰酸根)、SCN(硫氰酸根)、二酮酸根、羧基及其混合物的亲核基团，和n＝3至5。