发明名称 |
MEMS牺牲层刻蚀方法 |
摘要 |
本发明涉及MEMS制造领域,尤其涉及一种MEMS牺牲层刻蚀方法。本发明公开了一种MEMS牺牲层刻蚀方法,通过在牺牲层上制备SiO/SiN双层掩膜或者掩膜分步刻蚀工艺,均能有效的改善由于在刻蚀工艺中产生的聚合物覆盖在光刻胶,致使光刻胶不易去除,给后续工艺带来缺陷的问题,还能进一步的提高刻蚀工艺后剩余的牺牲层的形貌质量,进而大大提高了器件的性能和产品的良率。 |
申请公布号 |
CN103896205A |
申请公布日期 |
2014.07.02 |
申请号 |
CN201410083007.4 |
申请日期 |
2014.03.07 |
申请人 |
中航(重庆)微电子有限公司 |
发明人 |
赵大国;马清杰;王赞 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海申新律师事务所 31272 |
代理人 |
吴俊 |
主权项 |
一种MEMS牺牲层刻蚀方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一半导体结构;于所述半导体结构上制备牺牲层;于所述牺牲层上依次沉积氮化硅层和氧化硅层;回蚀部分所述氧化硅层至所述氮化硅层;以剩余的氧化硅层为掩膜,刻蚀部分所述氮化硅层至所述牺牲层;继续以所述剩余的氧化硅层和剩余的氮化硅层为掩膜,刻蚀部分所述牺牲层至所述半导体结构;去除所述剩余的氧化硅层和所述剩余的氮化硅层,于剩余的牺牲层中形成联通孔。 |
地址 |
401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永路367号四楼 |