| 发明名称 |
高Ｋ介电材料及形成高Ｋ介电材料之方法 |
| 摘要 |
本发明系关于一种形成高k介电材料之方法，其包含形成至少两个二氧化钛部分，该至少两个二氧化钛部分包括具有非晶形二氧化钛之第一部分及具有金红石二氧化钛之第二部分。本发明系关于一种形成高k介电材料之方法，其包含在约150℃至约350℃之温度下形成第一二氧化钛部分及在约350℃至约600℃之温度下形成第二二氧化钛部分。本发明亦揭示一种高k介电材料。 |
| 申请公布号 |
TWI443745 |
申请公布日期 |
2014.07.01 |
| 申请号 |
TW100128757 |
申请日期 |
2011.08.11 |
| 申请人 |
美光科技公司 美国 |
发明人 |
黄才育;林庆恺 |
| 分类号 |
H01L21/314;H01B3/10;C01G23/047 |
主分类号 |
H01L21/314 |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
| 主权项 |
一种具有高介电常数之材料，其包括至少两个二氧化钛部分，该至少两个二氧化钛部分包括非晶形二氧化钛之至少第一部分及在该第一部份上面之金红石二氧化钛之至少第二部分。 |
| 地址 |
美国 |
