发明名称 具有导通孔之半导体装置及其制造程序;SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CONDUCTIVE VIA AND MANUFACTURING PROCESS FOR SAME
摘要 根据本发明,提供一种半导体装置,其包含:一半导体晶粒或晶片;一封装主体;及一封装主体穿导孔。该半导体晶片包括复数个导电接垫。该封装主体封装该半导体晶片之一侧壁,且具有形成于该封装主体中之具有一侧壁的至少一孔,该侧壁具有一指定之第一表面粗糙度值。该封装主体穿导孔位于该封装主体之该孔中,且包含一介电材料及至少一导电导电金属层。该介电材料位于该孔之该侧壁上,且界定具有一侧壁之至少一孔洞,该侧壁具有小于该第一表面粗糙度值之一第二表面粗糙度值。该导电金属层位于该孔洞中。
申请公布号 TW201426908 申请公布日期 2014.07.01
申请号 TW102147628 申请日期 2013.12.20
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 陈勇仁;丁一权;黄敏龙
分类号 H01L21/768(2006.01);H01L23/52(2006.01) 主分类号 H01L21/768(2006.01)
代理机构 代理人 蔡东贤;林志育
主权项
地址 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC. 高雄市楠梓加工区经三路26号
您可能感兴趣的专利