发明名称 |
具有导通孔之半导体装置及其制造程序;SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CONDUCTIVE VIA AND MANUFACTURING PROCESS FOR SAME |
摘要 |
根据本发明,提供一种半导体装置,其包含:一半导体晶粒或晶片;一封装主体;及一封装主体穿导孔。该半导体晶片包括复数个导电接垫。该封装主体封装该半导体晶片之一侧壁,且具有形成于该封装主体中之具有一侧壁的至少一孔,该侧壁具有一指定之第一表面粗糙度值。该封装主体穿导孔位于该封装主体之该孔中,且包含一介电材料及至少一导电导电金属层。该介电材料位于该孔之该侧壁上,且界定具有一侧壁之至少一孔洞,该侧壁具有小于该第一表面粗糙度值之一第二表面粗糙度值。该导电金属层位于该孔洞中。 |
申请公布号 |
TW201426908 |
申请公布日期 |
2014.07.01 |
申请号 |
TW102147628 |
申请日期 |
2013.12.20 |
申请人 |
日月光半导体制造股份有限公司 |
发明人 |
陈勇仁;丁一权;黄敏龙 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01);H01L23/52(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
蔡东贤;林志育 |
主权项 |
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地址 |
ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC. 高雄市楠梓加工区经三路26号 |