半导体发光装置;SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE

摘要

本发明系一种半导体发光装置,其中,有关实施形态之半导体发光装置系具备:拥有第1的面,与其相反侧之第2的面,具有发光层之半导体层。在前述第2的面侧中,于前述半导体层设置有p侧电极及n侧电极。更且,具备包含设置于前述第1的面上,放射与经由前述发光层的放射光所激发之前述放射光不同波长光之复数的萤光体,和将前述复数之萤光体作为一体化,透过前述放射光之结合材的萤光体层。在前述萤光体层中,邻接之前述萤光体之间的平均间隔系较前述发光层之放射光的峰値波长为窄。